fluent傳熱模型中電子芯片的簡(jiǎn)化方案

2017-01-11 by:CAE仿真在線(xiàn) 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)

在fluent的傳熱模型中可以設(shè)置體熱源也可以設(shè)置面熱源,那么對(duì)于這兩種情況,該怎么簡(jiǎn)化模型呢,遇到問(wèn)題時(shí)候是簡(jiǎn)化為面還是做耦合處理,本文對(duì)這兩種情況進(jìn)行了仿真,對(duì)最終結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比。注:文中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)都是隨便選取。

模型:一個(gè)鋁制機(jī)箱中有一個(gè)芯片,外流場(chǎng)溫度為300K。

芯片為5×4×2,機(jī)箱為50×40×20。芯片為鋁制材料,芯片底面和機(jī)箱底面都是絕熱邊界,假定機(jī)箱其他面的傳熱系數(shù)為1W/(m^2*k)。芯片功率為2W。簡(jiǎn)化為體時(shí),設(shè)置體熱源為5×10^7W/m^3。簡(jiǎn)化為面時(shí),設(shè)置芯片熱流密度為3.57×10^4。

方案一:采用耦合的方法,即芯片和外流場(chǎng)耦合,模型和網(wǎng)格如圖1所示,網(wǎng)格是在ICEM中劃分的。

圖 1

方案二:把芯片簡(jiǎn)化為面的熱流密度,模型和網(wǎng)格如圖2所示。

圖 2

計(jì)算結(jié)果對(duì)比:

方案一:

Total Heat Transfer Rate (w)

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chip_bottom 0

chip_side 1.829797

chip_side-shadow -1.83159

part_1 -1.82952

wall_bottom 0

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Net-1.8313163

方案二:

Total Heat Transfer Rate (w)

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Chip 1.9991994

part_1 -1.9991719

wall_bottom 0

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Net 2.7537346e-05

表1 兩種方案的溫度對(duì)比(單位:K)

在模型中截取一條直線(xiàn)(如圖3所示),得到這條線(xiàn)上的溫度值,進(jìn)行對(duì)比,如圖4所示。

圖3 在空間中選取一條線(xiàn)

圖4 各個(gè)位置的溫度值對(duì)比

從上面的結(jié)果中可以看出,計(jì)算的結(jié)果由一定的差別,但是溫度場(chǎng)(表1,圖4)相差不大,在以后的學(xué)習(xí)中再去研究這些差別。通過(guò)這次的仿真,個(gè)人認(rèn)為如果對(duì)電子產(chǎn)品進(jìn)行熱分析,可以采取方案二的形式,計(jì)算速度快,節(jié)省時(shí)間。