fluent傳熱模型中電子芯片的簡(jiǎn)化方案
2017-01-11 by:CAE仿真在線(xiàn) 來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng)
在fluent的傳熱模型中可以設(shè)置體熱源也可以設(shè)置面熱源,那么對(duì)于這兩種情況,該怎么簡(jiǎn)化模型呢,遇到問(wèn)題時(shí)候是簡(jiǎn)化為面還是做耦合處理,本文對(duì)這兩種情況進(jìn)行了仿真,對(duì)最終結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比。注:文中出現(xiàn)的數(shù)據(jù)都是隨便選取。
模型:一個(gè)鋁制機(jī)箱中有一個(gè)芯片,外流場(chǎng)溫度為300K。
芯片為5×4×2,機(jī)箱為50×40×20。芯片為鋁制材料,芯片底面和機(jī)箱底面都是絕熱邊界,假定機(jī)箱其他面的傳熱系數(shù)為1W/(m^2*k)。芯片功率為2W。簡(jiǎn)化為體時(shí),設(shè)置體熱源為5×10^7W/m^3。簡(jiǎn)化為面時(shí),設(shè)置芯片熱流密度為3.57×10^4。
方案一:采用耦合的方法,即芯片和外流場(chǎng)耦合,模型和網(wǎng)格如圖1所示,網(wǎng)格是在ICEM中劃分的。
圖 1
方案二:把芯片簡(jiǎn)化為面的熱流密度,模型和網(wǎng)格如圖2所示。
圖 2
計(jì)算結(jié)果對(duì)比:
方案一:
Total Heat Transfer Rate (w)
-------------------------------- --------------------
chip_bottom 0
chip_side 1.829797
chip_side-shadow -1.83159
part_1 -1.82952
wall_bottom 0
---------------- --------------------
Net-1.8313163
方案二:
Total Heat Transfer Rate (w)
-------------------------------- --------------------
Chip 1.9991994
part_1 -1.9991719
wall_bottom 0
---------------- --------------------
Net 2.7537346e-05
表1 兩種方案的溫度對(duì)比(單位:K)
在模型中截取一條直線(xiàn)(如圖3所示),得到這條線(xiàn)上的溫度值,進(jìn)行對(duì)比,如圖4所示。
圖3 在空間中選取一條線(xiàn)
圖4 各個(gè)位置的溫度值對(duì)比
從上面的結(jié)果中可以看出,計(jì)算的結(jié)果由一定的差別,但是溫度場(chǎng)(表1,圖4)相差不大,在以后的學(xué)習(xí)中再去研究這些差別。通過(guò)這次的仿真,個(gè)人認(rèn)為如果對(duì)電子產(chǎn)品進(jìn)行熱分析,可以采取方案二的形式,計(jì)算速度快,節(jié)省時(shí)間。
圖5 芯片中間面的溫度梯度圖
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